DN3135 DN3135K1-G N-Kanal MOSFET, 350 V / 72 mA, 360 mW, SOT 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 165-5144
  • Herst. Teile-Nr. DN3135K1-G
  • Marke Microchip
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus

Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.

Merkmale

Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom

Typische Anwendungen:

Schließerschalter
Halbleiterrelais
Wandler
Lineare Verstärker
Konstantstrom-Quellen
Netzteilschaltungen
Telekommunikation

Der DN3135 ist ein (normally on) Transistor mit Verarmungsmodus und niedrigem Schwellenwert, für den die fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren verwendet wurde. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikale DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.

Hohe EingangsimpedanzNiedrige EingangskapazitätSchnelle SchaltgeschwindigkeitenGeringer Widerstand im eingeschalteten ZustandFrei von sekundärer DurchschlagsspannungNiedriger Eingangs- und Leckstrom

MOSFET-Transistoren, Microchip

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 72 mA
Drain-Source-Spannung max. 350 V
Gehäusegröße SOT
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 35 Ω
Channel-Modus Depletion
Verlustleistung max. 360 mW
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -3,5 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Serie DN3135
Höhe 1.02mm
Diodendurchschlagsspannung 1.8V
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 3.04mm
Breite 1.4mm
Betriebstemperatur min. –55 °C
3000 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 3000)
CHF .0.410
(ohne MwSt.)
Stück
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3000 +
CHF.0.410
CHF.1'235.695
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