- RS Best.-Nr.:
- 165-6328
- Herst. Teile-Nr.:
- SI5418DU-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
- RS Best.-Nr.:
- 165-6328
- Herst. Teile-Nr.:
- SI5418DU-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 11,6 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | PowerPAK ChipFET |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 18,5 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V |
Verlustleistung max. | 31 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
Länge | 3.08mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Breite | 1.98mm |
Höhe | 0.85mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |