DN3135 DN3135K1-G N-Kanal MOSFET, 350 V / 72 mA, 360 mW, SOT 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 165-6450
  • Herst. Teile-Nr. DN3135K1-G
  • Marke Microchip
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus

Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.

Merkmale

Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom

Typische Anwendungen:

Schließerschalter
Halbleiterrelais
Wandler
Lineare Verstärker
Konstantstrom-Quellen
Netzteilschaltungen
Telekommunikation

MOSFET-Transistoren, Microchip

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 72 mA
Drain-Source-Spannung max. 350 V
Drain-Source-Widerstand max. 35 Ω
Gate-Source Spannung max. -3,5 V
Gehäusegröße SOT
Montage-Typ SMD
Transistor-Konfiguration Einfach
Pinanzahl 3
Channel-Modus Depletion
Verlustleistung max. 360 mW
Höhe 1.02mm
Serie DN3135
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 3.04mm
Diodendurchschlagsspannung 1.8V
Breite 1.4mm
Betriebstemperatur min. –55 °C
Anzahl der Elemente pro Chip 1
5950 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 25)
CHF .0.445
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 - 75
CHF.0.445
CHF.11.26
100 +
CHF.0.410
CHF.10.239
*Bitte VPE beachten
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