- RS Best.-Nr.:
- 165-6971
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1026X-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 165-6971
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1026X-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 300 mA |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Gehäusegröße | SOT-523 (SC-89) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 6 |
Drain-Source-Widerstand max. | 2,5 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
Verlustleistung max. | 250 mW |
Transistor-Konfiguration | Isoliert |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Breite | 1.7mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
Länge | 1.7mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 600 nC @ 4,5 V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Höhe | 0.6mm |
- RS Best.-Nr.:
- 165-6971
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1026X-T1-GE3
- Marke:
- Vishay