SI1026X-T1-GE3 N-Kanal, Dual MOSFET, 60 V / 300 mA, 250 mW, SOT-523 (SC-89) 6-Pin

  • RS Best.-Nr. 165-6971
  • Herst. Teile-Nr. SI1026X-T1-GE3
  • Marke Vishay
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: MY
Produktdetails

Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 300 mA
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Gehäusegröße SOT-523 (SC-89)
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 6
Drain-Source-Widerstand max. 2,5 Ω
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. 1V
Verlustleistung max. 250 mW
Transistor-Konfiguration Isoliert
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 2
Gate-Ladung typ. @ Vgs 600 nC @ 4,5 V
Länge 1.7mm
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur max. +150 °C
Betriebstemperatur min. –55 °C
Höhe 0.6mm
Breite 1.7mm
Voraussichtlich ab 11.06.2020 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 3000)
CHF .0.176
(ohne MwSt.)
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Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +
CHF.0.176
CHF.540.616
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