- RS Best.-Nr.:
- 165-8306
- Herst. Teile-Nr.:
- DMS2085LSD-13
- Marke:
- DiodesZetex
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 165-8306
- Herst. Teile-Nr.:
- DMS2085LSD-13
- Marke:
- DiodesZetex
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
P-Kanal-MOSFET, 12 V bis 25 V, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 4,3 A |
Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
Gehäusegröße | SOIC |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 125 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.2V |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.5V |
Verlustleistung max. | 2,3 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Länge | 4.95mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 7,8 nC @ 10 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | Si |
Breite | 3.95mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Höhe | 1.5mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1V |