DMN3053L-7 N-Kanal MOSFET, 30 V / 4 A, 1,2 W, SOT-23 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 165-8336
  • Herst. Teile-Nr. DMN3053L-7
  • Marke DiodesZetex
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: CN
Produktdetails

N-Kanal-MOSFET, 30 V, Diodes Inc

MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 4 A
Drain-Source-Spannung max. 30 V
Gehäusegröße SOT-23
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 55 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 1.4V
Gate-Schwellenspannung min. 0.6V
Verlustleistung max. 1,2 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -12 V, +12 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Länge 3mm
Höhe 1mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 17,2 nC bei 10 V
Betriebstemperatur max. +150 °C
Breite 1.4mm
Betriebstemperatur min. –55 °C
Transistor-Werkstoff Si
Diodendurchschlagsspannung 1.2V
9000 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 3000)
CHF .0.105
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +
CHF.0.105
CHF.312.434
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