- RS Best.-Nr.:
- 166-2528
- Herst. Teile-Nr.:
- FQB12P20TM
- Marke:
- onsemi
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Produktdetails
P-Kanal-MOSFET im Erweiterungsmodus on Semiconductor
Die P-Kanal-MOSFETs der Serie ON Semiconductors werden mit der proprietären DMOS-Technologie von ON Semi mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine robuste und zuverlässige Leistung für schnelles Schalten zu bieten.
Eigenschaften und Vorteile:
Spannungsgesteuerter P-Kanal-Kleinsignalschalter
Zelldesign mit hoher Dichte
Hoher Sättigungsstrom
Hervorragende Schaltleistung
Große robuste und zuverlässige Leistung
DMOS-Technologie
Zelldesign mit hoher Dichte
Hoher Sättigungsstrom
Hervorragende Schaltleistung
Große robuste und zuverlässige Leistung
DMOS-Technologie
Anwendungen:
Lastschaltung
DC/DC-Wandler
Batterieschutz
Stromüberwachungssteuerung
Gleichstrommotor-Steuerung
DC/DC-Wandler
Batterieschutz
Stromüberwachungssteuerung
Gleichstrommotor-Steuerung
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 11,5 A |
Drain-Source-Spannung max. | 200 V |
Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 470 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
Verlustleistung max. | 3,13 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 9.65mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Länge | 10.67mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Höhe | 4.83mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
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- FQB12P20TM
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