MDmesh, SuperMESH STE53NC50 N-Kanal MOSFET, 500 V / 53 A, 460 W, ISOTOP 4-Pin

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RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 53 A
Drain-Source-Spannung max. 500 V
Gehäusegröße ISOTOP
Montage-Typ Frontplattenmontage
Pinanzahl 4
Drain-Source-Widerstand max. 80 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 4V
Gate-Schwellenspannung min. 2V
Verlustleistung max. 460 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Gate-Ladung typ. @ Vgs 310 nC @ 10 V
Länge 38.2mm
Transistor-Werkstoff Si
Höhe 9.1mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Breite 25.5mm
Betriebstemperatur min. –65 °C
Serie MDmesh, SuperMESH
210 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer Stange von 10)
CHF .33.794
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
10 +
CHF.33.794
CHF.337.93
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