Infineon HEXFET IRF7103TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 50 V / 3 A 2 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 168-8757
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7103TRPBF
- Marke:
- Infineon
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Produktdetails
Zweifacher N-Kanal-Leistungs-MOSFET, Infineon
Die Zweifach-Leistungs-MOSFETs von Infineon integrieren zwei HEXFET®-Bauelemente für platzsparende, kostengünstige Schaltlösungen bei hoher Bauteildichte für Anwendungen mit beschränktem Platinenplatz. Verschiedene Optionen stehen zur Verfügung, und Designer können die Zweifach-N-Kanal-Konfiguration wählen.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 3 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 50 V |
| Serie | HEXFET |
| Gehäusegröße | SOIC |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 200 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 2 W |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Breite | 4mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Länge | 5mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 1.5mm |
- RS Best.-Nr.:
- 168-8757
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7103TRPBF
- Marke:
- Infineon