STMicroelectronics MDmesh STW13N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 11 A 110 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 168-8803
- Herst. Teile-Nr.:
- STW13N60M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 168-8803
- Herst. Teile-Nr.:
- STW13N60M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 11 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Serie | MDmesh |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 380 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 110 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Länge | 15.75mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 5.75mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Höhe | 20.15mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |