MagnaChip MDP1921TH N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 153 A 223 W, 3-Pin TO-220

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Diese Niederspannungs-MOSFETs (LV) bieten niedrigen Durchlasswiderstand und schnelle Schaltleistung.

MOSFET-Transistoren, MagnaChip

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	153 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	TO-220
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	4,5 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Verlustleistung max.	223 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	10.67mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	4.83mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	100 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	16.51mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V