MagnaChip MDV1527URH N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 29 A 23,5 W, 8-Pin PowerDFN33

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Diese Niederspannungs-MOSFETs (LV) bieten niedrigen Durchlasswiderstand und schnelle Schaltleistung.

MOSFET-Transistoren, MagnaChip

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	29 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	PowerDFN33
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	23,7 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.7V
Verlustleistung max.	23,5 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	3.2mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	3.2mm
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	7,9 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	0.8mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.1V