MDV1527URH N-Kanal MOSFET, 30 V / 29 A, 23,5 W, PowerDFN33 8-Pin

  • RS Best.-Nr. 170-3039
  • Herst. Teile-Nr. MDV1527URH
  • Marke MagnaChip
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: CN
Produktdetails

Niederspannungs-MOSFET (LV)

Diese Niederspannungs-MOSFETs (LV) bieten niedrigen Durchlasswiderstand und schnelle Schaltleistung.

MOSFET-Transistoren, MagnaChip

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 29 A
Drain-Source-Spannung max. 30 V
Gehäusegröße PowerDFN33
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 8
Drain-Source-Widerstand max. 23,7 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 2.7V
Verlustleistung max. 23,5 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur max. +150 °C
Betriebstemperatur min. –55 °C
Höhe 0.8mm
Länge 3.2mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 7,9 nC @ 10 V
Diodendurchschlagsspannung 1.1V
Breite 3.2mm
Voraussichtlich ab 19.11.2020 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 5000)
CHF .0.164
(ohne MwSt.)
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5000 +
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