Taiwan Semiconductor TSM2309CX RFG P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 3,1 A 1,56 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 171-3616
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM2309CX RFG
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
Nicht mehr im Sortiment
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- 171-3616
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM2309CX RFG
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- Taiwan Semiconductor
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Taiwan Semiconductor - 60 V, -3. Der 1-A-, 3-polige P-Kanal-Leistungs-MOSFET verfügt über eine einfache Transistorkonfiguration und einen Erweiterungskanalmodus.
RoHS-konform
Betriebstemperaturbereich: -50 °C bis +150 °C.
Max. 1,56 W Verlustleistung
Gate-Schwellenspannungsbereiche zwischen 1,2 V und 2,5 V
Betriebstemperaturbereich: -50 °C bis +150 °C.
Max. 1,56 W Verlustleistung
Gate-Schwellenspannungsbereiche zwischen 1,2 V und 2,5 V
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 3,1 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 240 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V |
| Verlustleistung max. | 1,56 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Breite | 1.6mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 8,2 nC @ 10 V |
| Länge | 2.9mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Diodendurchschlagsspannung | 1V |
| Höhe | 0.95mm |
- RS Best.-Nr.:
- 171-3616
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM2309CX RFG
- Marke:
- Taiwan Semiconductor