- RS Best.-Nr.:
- 171-3659
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM090N03CP ROG
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
- RS Best.-Nr.:
- 171-3659
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM090N03CP ROG
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Taiwan Semiconductor N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 30 V, 55 A, 3+Flachsteckerkontakt verfügt über eine Einzeltransistorkonfiguration und einen Erweiterungskanalmodus.
RoHS-konform
150 °C maximale Betriebstemperatur
40 W max. Verlustleistung
Gate-Schwellenspannungsbereiche zwischen 1 V und 2,5 V
150 °C maximale Betriebstemperatur
40 W max. Verlustleistung
Gate-Schwellenspannungsbereiche zwischen 1 V und 2,5 V
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 55 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 13 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
Verlustleistung max. | 40 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 7,5 nC @ 4,5 V |
Breite | 5.8mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Länge | 6.5mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Höhe | 2.3mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1V |