- RS Best.-Nr.:
- 171-3695
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM70N1R4CP ROG
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
- RS Best.-Nr.:
- 171-3695
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM70N1R4CP ROG
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die Taiwan Semiconductor 700V, 3. 3 A, 1. Der 3-polige N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 4 Ω verfügt über eine einfache Transistorkonfiguration und einen Erweiterungskanalmodus. Er wird in der Regel in Stromversorgungs- und Beleuchtungsanwendungen eingesetzt.
Super-Junction-Technologie
Hohe Leistung durch kleine Gütezahl
Hohe Widerstandsfähigkeit
Hohe Kommutierungsleistung
Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C.
38 W max. Verlustleistung
Gate-Schwellenspannungsbereiche zwischen 2 V und 4 V.
Hohe Leistung durch kleine Gütezahl
Hohe Widerstandsfähigkeit
Hohe Kommutierungsleistung
Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C.
38 W max. Verlustleistung
Gate-Schwellenspannungsbereiche zwischen 2 V und 4 V.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 3,3 A |
Drain-Source-Spannung max. | 700 V |
Gehäusegröße | TO-252 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 + Tab |
Drain-Source-Widerstand max. | 1,4 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
Verlustleistung max. | 38 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±30 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 7,7 nC @ 10 V |
Länge | 6.57mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 6.11mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1.4V |
Höhe | 2.29mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |