Taiwan Semiconductor TSM4N80CI C0G N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4 A 38,7 W, 3-Pin ITO-220
- RS Best.-Nr.:
- 171-3719
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM4N80CI C0G
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
Nicht mehr im Sortiment
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- 171-3719
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM4N80CI C0G
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Taiwan Semiconductor 800 V, 4 A, 3. Der 3-polige N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 0 Ω verfügt über eine einfache Transistorkonfiguration und einen Erweiterungskanalmodus. Er wird in der Regel in Stromversorgungs- und Beleuchtungsanwendungen eingesetzt.
Niedriger RDS(ON) 3 Ω (max.)
Niedrige Gate-Ladung typisch @ 20 nC (typ.)
Verbesserung der dV/dt-Fähigkeit
Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C.
38,7 W max. Verlustleistung
Gate-Schwellenspannungsbereiche zwischen 2 V und 4 V.
Niedrige Gate-Ladung typisch @ 20 nC (typ.)
Verbesserung der dV/dt-Fähigkeit
Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C.
38,7 W max. Verlustleistung
Gate-Schwellenspannungsbereiche zwischen 2 V und 4 V.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 4 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 800 V |
| Gehäusegröße | ITO-220 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 38,7 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±30 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Länge | 10mm |
| Breite | 4.6mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.5V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 15mm |
- RS Best.-Nr.:
- 171-3719
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM4N80CI C0G
- Marke:
- Taiwan Semiconductor