RV3C002UN RV3C002UNT2CL N-Kanal MOSFET, 20 V / 150 A, 100 mW, DFN0604, VML0604 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 171-9770
  • Herst. Teile-Nr. RV3C002UNT2CL
  • Marke ROHM
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

Der RV3C002UN mit extrem kleinem Gehäuse ist für tragbare Geräte geeignet.

Extrem kleines Gehäuse (0,6 x 0,4 x 0,36 mm)
Der Niederspannungsantrieb macht dieses Gerät ideal für tragbare Geräte.
Einfache Antriebskreise möglich.
Integrierte ESD-Schutzdiode.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 150 A
Drain-Source-Spannung max. 20 V
Gehäusegröße DFN0604, VML0604
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 5,4 Ω
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 0.84V
Verlustleistung max. 100 mW
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. ±10 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Serie RV3C002UN
Diodendurchschlagsspannung 1.2V
Betriebstemperatur max. +150 °C
Breite 0.45mm
Länge 0.65mm
Höhe 0.34mm
Betriebstemperatur min. –55 °C
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Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 8000)
CHF .0.140
(ohne MwSt.)
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8000 - 8000
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CHF.1'123.359
16000 +
CHF.0.140
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