ROHM RQ5L020SN RQ5L020SNTL N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2 A 1 W, 3-Pin SC-96, SOT-346T, TSMT
- RS Best.-Nr.:
- 171-9822
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ5L020SNTL
- Marke:
- ROHM
Nicht mehr im Sortiment
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- Herst. Teile-Nr.:
- RQ5L020SNTL
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der RQ5L020SN ist ein MOSFET mit G-S-Schutzdiode und niedrigem Betriebswiderstand, geeignet für DC/DC-Wandler.
Niedriger Betriebswiderstand.
Integrierte G-S-Schutzdiode.
Kleines SMD-Gehäuse (TSMT3).
Bleifreie Beschichtung
Integrierte G-S-Schutzdiode.
Kleines SMD-Gehäuse (TSMT3).
Bleifreie Beschichtung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 2 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | SC-96, SOT-346T, TSMT |
| Serie | RQ5L020SN |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 210 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 1 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Länge | 3mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 2,7 nC bei 5 V |
| Breite | 1.8mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 0.95mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |