RS1L180GN RS1L180GNTB N-Kanal MOSFET, 60 V / 68 A, 39 W, HSOP 8-Pin

  • RS Best.-Nr. 171-9858
  • Herst. Teile-Nr. RS1L180GNTB
  • Marke ROHM
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

Der RS1L180GN ist ein MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand und Hochleistungsgehäuse für das Schalten.

Niedriger Betriebswiderstand
Hochleistungsgehäuse (HSOP8)
Bleifreie Beschichtung
Halogenfrei
100 % Rg- und UIS-getestet

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 68 A
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Gehäusegröße HSOP
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 8
Drain-Source-Widerstand max. 8,5 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. 1V
Verlustleistung max. 39 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. ±20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Gate-Ladung typ. @ Vgs 63 nC @ 10 V
Länge 5.8mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Diodendurchschlagsspannung 1.2V
Betriebstemperatur min. –55 °C
Serie RS1L180GN
Breite 5mm
Höhe 1.05mm
Voraussichtlich ab 21.01.2021 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 10)
CHF .1.299
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 240
CHF.1.299
CHF.13.001
250 - 740
CHF.1.147
CHF.11.468
750 - 1190
CHF.1.088
CHF.10.894
1200 - 1990
CHF.1.065
CHF.10.613
2000 +
CHF.1.030
CHF.10.36
*Bitte VPE beachten