- RS Best.-Nr.:
- 171-9923
- Herst. Teile-Nr.:
- RSH070N05GZETB
- Marke:
- ROHM
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- 171-9923
- Herst. Teile-Nr.:
- RSH070N05GZETB
- Marke:
- ROHM
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
Leistungs-MOSFETs werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.
4-V-Antriebstyp
P-Kanal-Mittel-Leistungs-MOSFET
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifrei
P-Kanal-Mittel-Leistungs-MOSFET
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifrei
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 7 A |
Drain-Source-Spannung max. | 45 V |
Gehäusegröße | SOP |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 35 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
Verlustleistung max. | 2 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Breite | 4.05mm |
Länge | 5.2mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 12 nC bei 5 V |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Serie | RSH070N05 |
Höhe | 1.6mm |
- RS Best.-Nr.:
- 171-9923
- Herst. Teile-Nr.:
- RSH070N05GZETB
- Marke:
- ROHM