ROHM QS8M51 QS8M51TR N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 2 A, 1,5 A 1,5 W, 8-Pin TSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 172-0542
- Herst. Teile-Nr.:
- QS8M51TR
- Marke:
- ROHM
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| 25 - 350 | CHF.0.441 | CHF.11.025 |
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- Herst. Teile-Nr.:
- QS8M51TR
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
Komplexe MOSFETs (P+N) werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.
4-V-Antriebstyp
Nch+Nch Middle Power-MOSFET
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifrei
Anwendungen:
Münzverarbeitungsmaschinen
Tragbares Datenterminal
Digitales Multimeter: handlicher Typ
Motorsteuerung: bürstenlose Gleichstrommotoren
Speicherprogrammierbare Steuerung
AC-Servo
Network Attached Storage
DVR/DVS
Motorsteuerung: Schrittmotor
Motorsteuerung: Gleichstrommotoren mit Bürsten
POS (Point-of-Sales-System)
Elektrofahrräder
Eingebetteter PC
Intelligenter Zähler
Überwachungskamera
Röntgeninspektionsmaschine für Sicherheit
Überwachungskamera für Netzwerk
Sprechanlage/Babymonitor
Maschinelle Kamera für industrielle Anwendungen
Gerät zur Authentifizierung per Fingerabdruck
Massefehler-Schutzschalter
Digitales Multimeter: Tischtyp
Anzeige für EMS
Solar-Wechselrichter
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Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N, P |
| Dauer-Drainstrom max. | 2 A, 1,5 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Serie | QS8M51 |
| Gehäusegröße | TSMT-8 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 355 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5 (N Channel) V, 2.5 (P Channel) V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1 (N Channel) V, 1 (P Channel) V |
| Verlustleistung max. | 1,5 W |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Breite | 2.5mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 4,7 nC @ 5 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 3.1mm |
| Höhe | 0.8mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |