NVMFS4C310N NVMFS4C310NT1G N-Kanal MOSFET, 30 V / 51 A, 32 W, DFN 6-Pin

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Produktdetails

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von LeitungsverlustNiedrige Kapazität zur Minimierung von TreiberverlustOptimierte Gate-Ladung zur Minimierung von SchaltverlustenNVMFS4C310NWF – Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische InspektionDiese Geräte sind bleifrei

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 51 A
Drain-Source-Spannung max. 30 V
Gehäusegröße DFN
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 6
Drain-Source-Widerstand max. 9 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 2.2V
Gate-Schwellenspannung min. 1.3V
Verlustleistung max. 32 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. ±20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur min. –55 °C
Länge 6.1mm
Diodendurchschlagsspannung 1.1V
Breite 5.1mm
Automobilstandard AEC-Q101
Gate-Ladung typ. @ Vgs 9,7 nC @ 4,5 V
Höhe 1.05mm
Serie NVMFS4C310N
Betriebstemperatur max. +175 °C
1500 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 1500)
CHF .0.199
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
1500 +
CHF.0.199
CHF.303.658
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