- RS Best.-Nr.:
- 172-3329
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFS4C310NT1G
- Marke:
- onsemi
- RS Best.-Nr.:
- 172-3329
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFS4C310NT1G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von LeitungsverlustNiedrige Kapazität zur Minimierung von TreiberverlustOptimierte Gate-Ladung zur Minimierung von SchaltverlustenNVMFS4C310NWF – Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische InspektionDiese Geräte sind bleifrei
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 51 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | DFN |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 6 |
Drain-Source-Widerstand max. | 9 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.2V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1.3V |
Verlustleistung max. | 32 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Länge | 6.1mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 9,7 nC @ 4,5 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 5.1mm |
Serie | NVMFS4C310N |
Automobilstandard | AEC-Q101 |
Diodendurchschlagsspannung | 1.1V |
Höhe | 1.05mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |