ROHM SH8MA2 SH8MA2GZETB N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,5 A 2,7 W, 8-Pin SOP
- RS Best.-Nr.:
- 177-6202
- Herst. Teile-Nr.:
- SH8MA2GZETB
- Marke:
- ROHM
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- TH
Produktdetails
Der SH8MA2 ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Betriebswiderstand, zum Schalten geeignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand.
Kleines SMD-Gehäuse (SOP8).
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei.
Kleines SMD-Gehäuse (SOP8).
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N, P |
| Dauer-Drainstrom max. | 4,5 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Gehäusegröße | SOP |
| Serie | SH8MA2 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 80 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2 (Tr1) V, 2 (Tr2) V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1 (Tr1) V, 1 (Tr2) V |
| Verlustleistung max. | 2,7 W |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 (Tr1, Tr2) V |
| Länge | 5.2mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 3 nC bei 10 V (Tr1), 6,7 nC bei 10 V (Tr2) |
| Breite | 4.05mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Höhe | 1.6mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |