R6515ENX R6515ENX N-Kanal MOSFET, 650 V / 15 A, 60 W, TO-220FM 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 177-6272
  • Herst. Teile-Nr. R6515ENX
  • Marke ROHM
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
Ursprungsland: JP
Produktdetails

Der R6515ENX ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und schneller Schaltgeschwindigkeit, für Schaltanwendungen geeignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Parallele Nutzung ist einfach
Pb-frei Beschichtung

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 15 A
Drain-Source-Spannung max. 650 V
Gehäusegröße TO-220FM
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 310 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 4V
Gate-Schwellenspannung min. 2V
Verlustleistung max. 60 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. ±30 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Breite 4.8mm
Höhe 15.4mm
Betriebstemperatur min. –55 °C
Serie R6515ENX
Gate-Ladung typ. @ Vgs 40 nC @ 10 V
Länge 10.3mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Diodendurchschlagsspannung 1.5V
Voraussichtlich ab 12.02.2021 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 5)
CHF .1.919
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 20
CHF.1.919
CHF.9.595
25 - 45
CHF.1.697
CHF.8.460
50 - 95
CHF.1.603
CHF.8.04
100 - 245
CHF.1.57
CHF.7.828
250 +
CHF.1.533
CHF.7.641
*Bitte VPE beachten