- RS Best.-Nr.:
- 177-6272
- Herst. Teile-Nr.:
- R6515ENX
- Marke:
- ROHM
- RS Best.-Nr.:
- 177-6272
- Herst. Teile-Nr.:
- R6515ENX
- Marke:
- ROHM
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
Der R6515ENX ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und schneller Schaltgeschwindigkeit, für Schaltanwendungen geeignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Parallele Nutzung ist einfach
Pb-frei Beschichtung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Parallele Nutzung ist einfach
Pb-frei Beschichtung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 15 A |
Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
Gehäusegröße | TO-220FM |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 310 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
Verlustleistung max. | 60 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±30 V |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Länge | 10.3mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Breite | 4.8mm |
Serie | R6515ENX |
Höhe | 15.4mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1.5V |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |