RQ3E100GN RQ3E100GNTB N-Kanal MOSFET, 30 V / 21 A, 15 W, HSMT 8-Pin

  • RS Best.-Nr. 177-6284
  • Herst. Teile-Nr. RQ3E100GNTB
  • Marke ROHM
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
Ursprungsland: JP
Produktdetails

Leistungs-MOSFETs werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand.
Hochleistungs-Gehäuse (HSMT8).
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 21 A
Drain-Source-Spannung max. 30 V
Gehäusegröße HSMT
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 8
Drain-Source-Widerstand max. 11,7 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. 1.2V
Verlustleistung max. 15 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. ±20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur min. –55 °C
Länge 3.3mm
Serie RQ3E100GN
Gate-Ladung typ. @ Vgs 7,9 nC @ 10 V
Höhe 0.9mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Breite 3.1mm
Diodendurchschlagsspannung 1.2V
75 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 25)
CHF .0.386
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 - 25
CHF.0.386
CHF.9.771
50 - 75
CHF.0.375
CHF.9.268
100 - 225
CHF.0.199
CHF.5.032
250 - 975
CHF.0.176
CHF.4.423
1000 +
CHF.0.152
CHF.3.80
*Bitte VPE beachten
Verpackungsoptionen: