ROHM R6011KND3 R6011KND3TL1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11 A 124 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 177-6288
- Herst. Teile-Nr.:
- R6011KND3TL1
- Marke:
- ROHM
Nicht mehr im Sortiment
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- 177-6288
- Herst. Teile-Nr.:
- R6011KND3TL1
- Marke:
- ROHM
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- TH
Produktdetails
Der Leistungs-MOSFET R6011KND3 ist für Schaltnetzteile geeignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten ZustandExtrem schnelle SchaltgeschwindigkeitParallele Nutzung ist einfachPb-frei Beschichtung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 11 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
| Serie | R6011KND3 |
| Gehäusegröße | TO-252 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 390 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
| Verlustleistung max. | 124 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±30 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 6.8mm |
| Breite | 6.4mm |
| Höhe | 2.4mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.5V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |