ROHM R6030KNZ R6030KNZC8 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 30 A 86 W, 3-Pin TO-3PF
- RS Best.-Nr.:
- 177-6451
- Herst. Teile-Nr.:
- R6030KNZC8
- Marke:
- ROHM
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 177-6451
- Herst. Teile-Nr.:
- R6030KNZC8
- Marke:
- ROHM
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- TH
Produktdetails
Der R6030KNZ ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Betriebswiderstand und extrem schneller Schaltgeschwindigkeit.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Extrem schnelle Schaltgeschwindigkeit
Parallele Nutzung ist einfach
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Extrem schnelle Schaltgeschwindigkeit
Parallele Nutzung ist einfach
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 30 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
| Serie | R6030KNZ |
| Gehäusegröße | TO-3PF |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 130 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
| Verlustleistung max. | 86 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±30 V |
| Breite | 5.7mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Länge | 15.7mm |
| Höhe | 26.7mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.5V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |