R6007END3 R6007END3TL1 N-Kanal MOSFET, 600 V / 7 A, 78 W, TO-252 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 177-6676
  • Herst. Teile-Nr. R6007END3TL1
  • Marke ROHM
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
Ursprungsland: TH
Produktdetails

Leistungs-MOSFET R6007END3 passend für Schaltnetzteil.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Einfache Antriebskreise möglich
Parallele Nutzung ist einfach
Pb-frei Beschichtung

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 7 A
Drain-Source-Spannung max. 600 V
Gehäusegröße TO-252
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 620 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 4V
Gate-Schwellenspannung min. 2V
Verlustleistung max. 78 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. ±30 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Breite 6.4mm
Betriebstemperatur min. –55 °C
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 6.8mm
Diodendurchschlagsspannung 1.5V
Gate-Ladung typ. @ Vgs 20 nC @ 10 V
Serie R6007END3
Höhe 2.4mm
Voraussichtlich ab 28.01.2021 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 10)
CHF .0.924
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 40
CHF.0.924
CHF.9.233
50 - 90
CHF.0.807
CHF.8.086
100 - 240
CHF.0.772
CHF.7.69
250 - 990
CHF.0.749
CHF.7.477
1000 +
CHF.0.726
CHF.7.302
*Bitte VPE beachten