ROHM RQ5E050AT RQ5E050ATTCL P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5 A 1 W, 3-Pin SOT-346T
- RS Best.-Nr.:
- 177-6803
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ5E050ATTCL
- Marke:
- ROHM
Nicht mehr im Sortiment
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- 177-6803
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ5E050ATTCL
- Marke:
- ROHM
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- TH
Produktdetails
Rohm MOSFET
Der Rohm SOT-346T/SC-96/TSMT3 P-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einem Abflussquellen-Widerstand von 26 MOhm. Er hat eine maximale Gate-Quellspannung von 20 V und eine Drain-Source-Spannung von 30 V. Er hat einen kontinuierlichen Ableitungsstrom von 5 A und eine maximale Verlustleistung von 1 W. Es wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• bleifrei (Pb)
• Niedriger Einschaltwiderstand
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• Niedriger Einschaltwiderstand
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
Anwendungen
• für mobiles Computing
• Lastschalter
• Notebook-Adapterschalter
• Lastschalter
• Notebook-Adapterschalter
Zertifizierungen
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• BS EN 61340-5-1:2007
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 5 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Gehäusegröße | SOT-346T |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 26 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 1 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 19,4 nC @ 10 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 1.8mm |
| Länge | 3mm |
| Serie | RQ5E050AT |
| Höhe | 0.95mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |