- RS Best.-Nr.:
- 177-9588
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7000-G
- Marke:
- Microchip
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- Microchip
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- TW
Produktdetails
Microchip Technology MOSFET
Der durchkontaktierte N-Kanal-MOSFET von Microchip Technology ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 30 V. Er hat einen Abflussquellen-Widerstand von 5 Ohm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat einen kontinuierlichen Ableitungsstrom von 200 mA und eine maximale Verlustleistung von 1 W. Die minimale und maximale Treiberspannung für diesen MOSFET beträgt 4,5 V bzw. 10 V. Der MOSFET ist ein (normalerweise aus) MOSFET mit einer vertikalen DMOS-Struktur und einem bewährten Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Dieses Gerät ist ein wichtiges Merkmal aller MOS-Strukturen und ist frei von thermischem Durchlaufen und thermisch induzierter sekundärer Zersetzung. Dieser vertikale DMOS-FET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Einfache Parallelschaltung
• Ausgezeichnete Temperaturstabilität
• frei von sekundärem Ausfall
• Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
• Integrierte Source-Drain-Diode
• Niedriger CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
• Geringe Anforderungen an das Laufwerk
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• Ausgezeichnete Temperaturstabilität
• frei von sekundärem Ausfall
• Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
• Integrierte Source-Drain-Diode
• Niedriger CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
• Geringe Anforderungen an das Laufwerk
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
Anwendungen
• Verstärker
• Konverter
• Treiber: Relais, Hämmer, Magnete, Lampen, Speicher, Anzeigen, bipolare Transistoren usw.
• Motorsteuerungen
• Stromversorgungskreise
• Schalter
• Konverter
• Treiber: Relais, Hämmer, Magnete, Lampen, Speicher, Anzeigen, bipolare Transistoren usw.
• Motorsteuerungen
• Stromversorgungskreise
• Schalter
Zertifizierungen
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• JEDEC
• BS EN 61340-5-1:2007
• JEDEC
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 200 mA |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Gehäusegröße | TO-92 |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 5,3 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 3V |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.8V |
Verlustleistung max. | 1 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | 30 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Länge | 5.08mm |
Breite | 4.06mm |
Höhe | 5.33mm |
Diodendurchschlagsspannung | 0.85V |
Serie | 2N7000 |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |