Microchip TN0110 TN0110N3-G N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 350 mA 1 W, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 177-9690
- Herst. Teile-Nr.:
- TN0110N3-G
- Marke:
- Microchip
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- TW
Produktdetails
Dieser (normally off) Transistor mit niedrigem Schwellenwert als Anreicherungstyp verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.
Niedriger Schwellenwert – max. 2,0 V
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität – 50 pF typisch
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität – 50 pF typisch
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 350 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | TO-92 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 4,5 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.6V |
| Verlustleistung max. | 1 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | 20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 4.06mm |
| Länge | 5.08mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Höhe | 5.33mm |
| Serie | TN0110 |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.5V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |