- RS Best.-Nr.:
- 177-9695
- Herst. Teile-Nr.:
- TP2540N8-G
- Marke:
- Microchip
- RS Best.-Nr.:
- 177-9695
- Herst. Teile-Nr.:
- TP2540N8-G
- Marke:
- Microchip
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- TW
Produktdetails
Dieser (normally off) Transistor mit niedrigem Schwellenwert als Anreicherungstyp verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.
Niedriger Schwellenwert (max. -2,4V)
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität (60 pF typisch)
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität (60 pF typisch)
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 125 mA |
Drain-Source-Spannung max. | 400 V |
Gehäusegröße | TO-243AA |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 30 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.4V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
Verlustleistung max. | 1,6 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | 20 V |
Länge | 4.6mm |
Breite | 2.6mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Serie | TP2540 |
Höhe | 1.6mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1.8V |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |