Microchip 2N7000 2N7000-G N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 mA 1 W, 3-Pin TO-92

Der durchkontaktierte N-Kanal-MOSFET von Microchip Technology ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 30 V. Er hat einen Abflussquellen-Widerstand von 5 Ohm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat einen kontinuierlichen Ableitungsstrom von 200 mA und eine maximale Verlustleistung von 1 W. Die minimale und maximale Treiberspannung für diesen MOSFET beträgt 4,5 V bzw. 10 V. Der MOSFET ist ein (normalerweise aus) MOSFET mit einer vertikalen DMOS-Struktur und einem bewährten Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Dieses Gerät ist ein wichtiges Merkmal aller MOS-Strukturen und ist frei von thermischem Durchlaufen und thermisch induzierter sekundärer Zersetzung. Dieser vertikale DMOS-FET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

• Einfache Parallelschaltung
• Ausgezeichnete Temperaturstabilität
• frei von sekundärem Ausfall
• Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
• Integrierte Source-Drain-Diode
• Niedriger CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
• Geringe Anforderungen an das Laufwerk
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

• Verstärker
• Konverter
• Treiber: Relais, Hämmer, Magnete, Lampen, Speicher, Anzeigen, bipolare Transistoren usw.
• Motorsteuerungen
• Stromversorgungskreise
• Schalter

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• JEDEC