- RS Best.-Nr.:
- 178-0905
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFU9110PBF
- Marke:
- Vishay
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 178-0905
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFU9110PBF
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor
Die Vishay Leistungs-MOSFETs der dritten Generation bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schneller Schaltung, robustem Gerätedesign, geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Kosteneffizienz. Das D2PAK (TO-263) ist ein SMD-Leistungsgehäuse. Es bietet die höchste Leistungskapazität und den geringstmöglichen Widerstand im eingeschalteten Zustand in jedem vorhandenen SMD-Gehäuse.
Dynamische dV-/dt-Bewertung
Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt
Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 3,1 A |
Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
Gehäusegröße | IPAK (TO-251) |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 1,2 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
Verlustleistung max. | 2,5 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Breite | 2.38mm |
Länge | 6.73mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 8,7 nC @ 10 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Höhe | 6.22mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |