Microchip LND01K1-G N-Kanal, SMD MOSFET 9 V / 330 mA 360 mW, 5-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 178-5338
- Herst. Teile-Nr.:
- LND01K1-G
- Marke:
- Microchip
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Produktdetails
MOSFET-Transistoren, N-Kanal, LND01
Der Microchip LND01 ist ein MOSFET-Transistor mit niedrigem Schwellenwert und Verarmungsmodus (Ausschalter). Das Design kombiniert die Strombelastbarkeit eines bipolaren Transistors mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizient von MOS-Geräten.
Merkmale
Bidirektional
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Hohe Schaltgeschwindigkeiten
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
Niedrige Anforderungen an die Stromversorgung
Einfacher Parallelbetrieb
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Hohe Schaltgeschwindigkeiten
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
Niedrige Anforderungen an die Stromversorgung
Einfacher Parallelbetrieb
MOSFET-Transistoren, Microchip
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 330 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 9 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 5 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,4 Ω |
| Channel-Modus | Depletion |
| Verlustleistung max. | 360 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -12 V, +0,6 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur max. | +125 °C |
| Breite | 1.75mm |
| Länge | 3.05mm |
| Höhe | 1.3mm |
| Betriebstemperatur min. | –25 °C |