Microchip DN3765K4-G N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 300 mA 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 178-5359
- Herst. Teile-Nr.:
- DN3765K4-G
- Marke:
- Microchip
Nicht mehr im Sortiment
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- DN3765K4-G
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus
Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.
Merkmale
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom
Typische Anwendungen:
Schließerschalter
Halbleiterrelais
Wandler
Lineare Verstärker
Konstantstrom-Quellen
Netzteilschaltungen
Telekommunikation
Halbleiterrelais
Wandler
Lineare Verstärker
Konstantstrom-Quellen
Netzteilschaltungen
Telekommunikation
MOSFET-Transistoren, Microchip
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 300 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 8 Ω |
| Channel-Modus | Depletion |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V |
| Verlustleistung max. | 2,5 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Breite | 6.73mm |
| Länge | 6.2mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Höhe | 2.39mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |