Teile-Nr.

DN3765K4-G N-Kanal MOSFET, 650 V / 300 mA, 2,5 W, DPAK (TO-252) 3-Pin

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RS Best.-Nr.:
178-5359
Herst. Teile-Nr.:
DN3765K4-G
Marke:
Microchip
StückPro StückPro Rolle*
2000 +CHF.1.439CHF.2'880.947
*Bitte VPE beachten

MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus



Merkmale



Typische Anwendungen:



EigenschaftWert
Channel-TypN
Dauer-Drainstrom max.300 mA
Drain-Source-Spannung max.650 V
GehäusegrößeDPAK (TO-252)
Montage-TypSMD
Pinanzahl3
Drain-Source-Widerstand max.8 Ω
Channel-ModusDepletion
Gate-Schwellenspannung max.3.5V
Verlustleistung max.2,5 W
Transistor-KonfigurationEinfach
Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip1
Transistor-WerkstoffSi
Höhe2.39mm
Breite6.73mm
Betriebstemperatur max.+150 °C
Betriebstemperatur min.–55 °C
Länge6.2mm