DN3765K4-G N-Kanal MOSFET, 650 V / 300 mA, 2,5 W, DPAK (TO-252) 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 178-5359
  • Herst. Teile-Nr. DN3765K4-G
  • Marke Microchip
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus

Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.

Merkmale

Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom

Typische Anwendungen:

Schließerschalter
Halbleiterrelais
Wandler
Lineare Verstärker
Konstantstrom-Quellen
Netzteilschaltungen
Telekommunikation

MOSFET-Transistoren, Microchip

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 300 mA
Drain-Source-Spannung max. 650 V
Gehäusegröße DPAK (TO-252)
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 8 Ω
Channel-Modus Depletion
Gate-Schwellenspannung max. 3.5V
Verlustleistung max. 2,5 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur min. –55 °C
Höhe 2.39mm
Breite 6.73mm
Länge 6.2mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Transistor-Werkstoff Si
Voraussichtlich ab 10.06.2020 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 2000)
CHF .1.638
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2000 +
CHF.1.638
CHF.3'271.78
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