DN3765K4-G N-Kanal MOSFET, 650 V / 300 mA, 2,5 W, DPAK (TO-252) 3-Pin
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- RS Best.-Nr.:
- 178-5359
- Herst. Teile-Nr.:
- DN3765K4-G
- Marke:
- Microchip
| Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
| 2000 + | CHF.1.439 | CHF.2'880.947 |
| *Bitte VPE beachten | ||
MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus
Merkmale
Typische Anwendungen:
| Eigenschaft | Wert |
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 300 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 8 Ω |
| Channel-Modus | Depletion |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V |
| Verlustleistung max. | 2,5 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Höhe | 2.39mm |
| Breite | 6.73mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Länge | 6.2mm |