PHK12NQ03LT,518 N-Kanal MOSFET, 30 V / 11,8 A, 2,5 W, SOIC 8-Pin

  • RS Best.-Nr. 178-7064
  • Herst. Teile-Nr. PHK12NQ03LT,518
  • Marke Nexperia
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: TH
Produktdetails

N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V

MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 11,8 A
Drain-Source-Spannung max. 30 V
Gehäusegröße SOIC
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 8
Drain-Source-Widerstand max. 10,5 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 2V
Gate-Schwellenspannung min. 1V
Verlustleistung max. 2,5 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Höhe 1.45mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 17,6 nC @ 5 V
Betriebstemperatur max. +150 °C
Transistor-Werkstoff Si
Länge 5mm
Betriebstemperatur min. –55 °C
Breite 4mm
Voraussichtlich ab 08.07.2020 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 2500)
CHF .0.328
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +
CHF.0.328
CHF.833.743
*Bitte VPE beachten