Infineon SIPMOS BSS138NH6433XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 230 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 178-7507
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS138NH6433XTMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET 60 V im SOT23-Gehäuse
Infineon Technologies bietet Automobil- und Industrieherstellern ein breites Portfolio an N- und P-Kanal-Small-Signal-MOSFETs, die höchste Qualitätsanforderungen in bekannten Industriestandardgehäusen erfüllen und übertreffen. Dank ihrer unübertroffenen Zuverlässigkeit und Fertigungskapazität eignen sich diese Komponenten ideal für eine Vielzahl von Anwendungen wie LED-Beleuchtung, ADAS, Karosseriesteuergeräte, SMPS und Motorsteuerung.
Zusammenfassung der Funktionen
•Erweiterungsmodus
•Logischer Pegel
•Avalanche bewertet
•Schnelles Umschalten
•Dv/dt bewertet
•Pb-freie Verbleiung
•RoHS-konform, halogenfrei
•Qualifiziert nach Automobilstandards
•PPAP-fähig
•Logischer Pegel
•Avalanche bewertet
•Schnelles Umschalten
•Dv/dt bewertet
•Pb-freie Verbleiung
•RoHS-konform, halogenfrei
•Qualifiziert nach Automobilstandards
•PPAP-fähig
Vorteile
•Niedriger RDS(on) bietet höhere Effizienz und verlängert die Lebensdauer der Batterie
•Kleine Gehäuse sparen Platz auf der Leiterplatte
•Erstklassige Qualität und Zuverlässigkeit
•Kleine Gehäuse sparen Platz auf der Leiterplatte
•Erstklassige Qualität und Zuverlässigkeit
Mögliche Anwendungen
•Automobilindustrie
•Beleuchtung
•Batterie-Management
•Lastschalter
•DC-DC
•eMobilität
•Motorsteuerung
•Onboard-Ladegerät
•Telekommunikation
•Beleuchtung
•Batterie-Management
•Lastschalter
•DC-DC
•eMobilität
•Motorsteuerung
•Onboard-Ladegerät
•Telekommunikation
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 230 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3,5 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.6V |
| Verlustleistung max. | 360 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Länge | 2.9mm |
| Breite | 1.3mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 1 nC @ 10 V |
| Höhe | 1mm |
| Serie | SIPMOS |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 178-7507
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS138NH6433XTMA1
- Marke:
- Infineon