FDG6303N N-Kanal, Dual MOSFET, 25 V / 500 mA, 300 mW, SOT-363 (SC-70) 6-Pin

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Produktdetails

Zweifach-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor

Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser enorme Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 500 mA
Drain-Source-Spannung max. 25 V
Gehäusegröße SOT-363 (SC-70)
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 6
Drain-Source-Widerstand max. 770 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. 0.65V
Verlustleistung max. 300 mW
Transistor-Konfiguration Isoliert
Gate-Source Spannung max. +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip 2
Breite 1.25mm
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 2mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 1,64 nC @ 5 V
Betriebstemperatur min. –55 °C
Höhe 1mm
3000 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 3000)
CHF .0.094
(ohne MwSt.)
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3000 +
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