- RS Best.-Nr.:
- 181-1903
- Herst. Teile-Nr.:
- FDP4D5N10C
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Dieser N-Kanal-MV-MOSFET wird unter Verwendung des fortschrittlichen PowerTrench®-Verfahrens von ON Semiconductor mit geschirmter Gate Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.
Max RDS(on) = 4,5 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 128 A.
Leistungsdichte und geschirmtes Gate Leistungsdichte und geschirmtes Gate Hohe Effizienz / Hohe Leistung
Trench-Hochleistungstechnologie für extrem niedrigen RDS(on)
Hohe Leistungsdichte durch geschirmte Gate-Technologie
Extrem geringe Rückwärts-Rückgewinnungsladung, Qrr
Integriertes Spannungsschutzelement mit niedrigem Vds-Spike
Niedrige Gate-Ladung, QG = 48 nC (typ.)
Geringe Schaltverluste
Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit
Niedrige Qrr/Trr
Soft-Recovery-Leistung
Synchrongleichrichtung für ATX / Server / Workstation / Telekommunikationsnetzteil / Adapter und Industrienetzgeräte.
Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen
Micro Solar-Wechselrichter
Server
Telekom
Computing (ATX, Workstation, Adapter, Industrienetzgeräte usw.)
Motorantrieb
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Solarwechselrichter
Leistungsdichte und geschirmtes Gate Leistungsdichte und geschirmtes Gate Hohe Effizienz / Hohe Leistung
Trench-Hochleistungstechnologie für extrem niedrigen RDS(on)
Hohe Leistungsdichte durch geschirmte Gate-Technologie
Extrem geringe Rückwärts-Rückgewinnungsladung, Qrr
Integriertes Spannungsschutzelement mit niedrigem Vds-Spike
Niedrige Gate-Ladung, QG = 48 nC (typ.)
Geringe Schaltverluste
Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit
Niedrige Qrr/Trr
Soft-Recovery-Leistung
Synchrongleichrichtung für ATX / Server / Workstation / Telekommunikationsnetzteil / Adapter und Industrienetzgeräte.
Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen
Micro Solar-Wechselrichter
Server
Telekom
Computing (ATX, Workstation, Adapter, Industrienetzgeräte usw.)
Motorantrieb
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Solarwechselrichter
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 128 A |
Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
Gehäusegröße | TO-220 |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 4,5 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
Verlustleistung max. | 150 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
Länge | 10.36mm |
Breite | 4.67mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1.3V |
Höhe | 15.21mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |