ROHM QS5U27 QS5U27TR P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,5 A 900 mW, 5-Pin TSMT
- RS Best.-Nr.:
- 183-4995
- Herst. Teile-Nr.:
- QS5U27TR
- Marke:
- ROHM
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 183-4995
- Herst. Teile-Nr.:
- QS5U27TR
- Marke:
- ROHM
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
ROHM MOSFETs werden als Bauelemente mit niedrigem RDS(on)-Widerstand durch die Mikroverarbeitungstechnologie hergestellt und sind in einer breiten Palette einschließlich Hybridtypen (MOSFET + Schottky-Diode) erhältlich, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.
Middle Power-MOSFET mit mehreren Schottky-Dioden
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifrei
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifrei
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 1,5 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
| Gehäusegröße | TSMT |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 5 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 340 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.7V |
| Verlustleistung max. | 900 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±12 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 4,2 nC @ 4,5 V |
| Länge | 3mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 1.8mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Höhe | 0.95mm |
| Serie | QS5U27 |