ROHM QS6K21 QS6K21TR N-Kanal Dual, SMD MOSFET 45 V / 1 A 1,25 W, 6-Pin SOT-457T
- RS Best.-Nr.:
- 183-5438
- Herst. Teile-Nr.:
- QS6K21TR
- Marke:
- ROHM
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 183-5438
- Herst. Teile-Nr.:
- QS6K21TR
- Marke:
- ROHM
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
Komplexe MOSFETs (N+N) werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.
2,5-V-Antriebstyp
Nch+Nch Middle Power-MOSFET
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifrei
Nch+Nch Middle Power-MOSFET
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifrei
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 1 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 45 V |
| Serie | QS6K21 |
| Gehäusegröße | SOT-457T |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 6 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 585 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.5V |
| Verlustleistung max. | 1,25 W |
| Gate-Source Spannung max. | ±12 V |
| Betriebstemperatur max. | 150 °C |
| Länge | 3mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 1,5 nC @ 4,5 V |
| Breite | 1.8mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 0.95mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |