RQ3E150BN RQ3E150BNTB N-Kanal MOSFET, 30 V / 39 A, 17 W, HSMT 8-Pin

  • RS Best.-Nr. 183-5441
  • Herst. Teile-Nr. RQ3E150BNTB
  • Marke ROHM
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: JP
Produktdetails

Leistungs-MOSFETs werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand.
Hochleistungs-Gehäuse (HSMT8).
Bleifreie Leitungsbeschichtung.
Halogenfrei

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 39 A
Drain-Source-Spannung max. 30 V
Gehäusegröße HSMT
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 8
Drain-Source-Widerstand max. 7,4 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. 1V
Verlustleistung max. 17 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. ±20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Höhe 0.85mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 45 nC @ 10 V
Breite 3.1mm
Serie RQ3E150BN
Betriebstemperatur min. –55 °C
Diodendurchschlagsspannung 1.2V
Länge 3.3mm
Betriebstemperatur max. 150 °C
20 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 20)
CHF .0.375
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 - 80
CHF.0.375
CHF.7.583
100 - 380
CHF.0.35
CHF.7.068
400 - 980
CHF.0.328
CHF.6.576
1000 +
CHF.0.304
CHF.6.062
*Bitte VPE beachten