- RS Best.-Nr.:
- 183-5622
- Herst. Teile-Nr.:
- RUF025N02TL
- Marke:
- ROHM
Das Produkt ist zurzeit nicht verfügbar und kann derzeit nicht vorbestellt werden.
Leider ist dieses Produkt derzeit nicht auf Lager und kann nicht vorbestellt werden.
Preis pro Stück (In einer VPE à 30)
CHF.0.326
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
30 - 120 | CHF.0.326 | CHF.9.671 |
150 - 570 | CHF.0.20 | CHF.5.985 |
600 - 1470 | CHF.0.189 | CHF.5.828 |
1500 + | CHF.0.189 | CHF.5.67 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 183-5622
- Herst. Teile-Nr.:
- RUF025N02TL
- Marke:
- ROHM
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
Leistungs-MOSFETs werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.
Antriebstyp mit niedrige Spannung (1,5V)
N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifrei
N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifrei
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 2,5 A |
Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
Gehäusegröße | SOT-323 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 160 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 1.3V |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.3V |
Verlustleistung max. | 800 mW |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±10 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 1.8mm |
Betriebstemperatur max. | 150 °C |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 5 nC @ 4,5 V |
Länge | 2.1mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Serie | RUF025N02 |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
Höhe | 0.82mm |