ROHM SH8K26GZ0 SH8K26GZ0TB N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 6 A 2 W, 8-Pin SOP

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Der MOSFET SH8K26 mit mittlerer Leistung ist für Schaltnetzteile geeignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand.
Kleines SMD-Gehäuse.
Bleifreie Leitungsbeschichtung.
Halogenfrei

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	6 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Gehäusegröße	SOP
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	50 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	2 W
Gate-Source Spannung max.	±12 V
Breite	4.05mm
Länge	5.2mm
Betriebstemperatur max.	150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	2,9 nC @ 5 V
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Höhe	1.6mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Serie	SH8K26GZ0