ROHM RJ1L12BGN RJ1L12BGNTLL N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 192 W, 3-Pin TO-263AB
- RS Best.-Nr.:
- 183-6004
- Herst. Teile-Nr.:
- RJ1L12BGNTLL
- Marke:
- ROHM
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- RJ1L12BGNTLL
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- KP
Produktdetails
Der RJ1L12BGN ist ein MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand und kleinem SMD-Gehäuse für Schaltanwendungen.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Kleines vergossenes Hochleistungsgehäuse
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei
Kleines vergossenes Hochleistungsgehäuse
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 120 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | TO-263AB |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 4,1 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 192 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 9.2mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 175 nC @ 10 V |
| Länge | 10.4mm |
| Betriebstemperatur max. | 150 °C |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Serie | RJ1L12BGN |
| Höhe | 4.7mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |