RJ1L12BGN RJ1L12BGNTLL N-Kanal MOSFET, 60 V / 120 A, 192 W, TO-263AB 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 183-6004
  • Herst. Teile-Nr. RJ1L12BGNTLL
  • Marke ROHM
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: KP
Produktdetails

Der RJ1L12BGN ist ein MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand und kleinem SMD-Gehäuse für Schaltanwendungen.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Kleines vergossenes Hochleistungsgehäuse
Bleifreie Leitungsbeschichtung

Halogenfrei

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 120 A
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Gehäusegröße TO-263AB
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 4,1 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. 1V
Verlustleistung max. 192 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. ±20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur min. –55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 175 nC @ 10 V
Höhe 4.7mm
Breite 9.2mm
Betriebstemperatur max. 150 °C
Serie RJ1L12BGN
Länge 10.4mm
Diodendurchschlagsspannung 1.2V
2 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 2)
CHF .2.808
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 8
CHF.2.808
CHF.5.629
10 - 18
CHF.2.715
CHF.5.418
20 - 198
CHF.2.574
CHF.5.160
200 +
CHF.2.457
CHF.4.90
*Bitte VPE beachten