- RS Best.-Nr.:
- 184-4613
- Herst. Teile-Nr.:
- BMS3003-1E
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 184-4613
- Herst. Teile-Nr.:
- BMS3003-1E
- Marke:
- ON Semiconductor
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- KR
Produktdetails
BMS3003 ist ein P-Kanal Leistungs-MOSFET, -60 V, -78 A, 6,5 mΩ, TO-220F-3SG für allgemeine Schaltgeräteanwendungen.
Einschaltwiderstand RDS(on)1 = 5,0 mΩ (typ.)
Eingangskapazität Ciss = 13200pF (typ.)
-4V Antrieb
Anwendungen
Dieses Produkt ist allgemein verwendbar und für viele verschiedene Anwendungen geeignet
Eingangskapazität Ciss = 13200pF (typ.)
-4V Antrieb
Anwendungen
Dieses Produkt ist allgemein verwendbar und für viele verschiedene Anwendungen geeignet
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 78 A |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Gehäusegröße | TO-220F |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 9 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Verlustleistung max. | 40 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
Breite | 4.7mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Länge | 10.16mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 285 nC @ 10 V |
Diodendurchschlagsspannung | 1.5V |
Höhe | 15.87mm |