ROHM R6030JNZ4C13 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 30 A 370 W, 3-Pin TO-247G
- RS Best.-Nr.:
- 185-1315
- Herst. Teile-Nr.:
- R6030JNZ4C13
- Marke:
- ROHM
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- TH
Produktdetails
R6030JNZ4 ist ein Leistungs-MOSFET mit schneller Rücklaufzeit (trr), geeignet für Schaltanwendungen.
Schnelle Umkehr-Wiederherstellungszeit (trr)
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Einfache Antriebskreise möglich
Pb-frei Beschichtung
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Einfache Antriebskreise möglich
Pb-frei Beschichtung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 30 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
| Gehäusegröße | TO-247G |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 140 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 7V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 5V |
| Verlustleistung max. | 370 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±30 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 5.22mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 74 nC bei 15 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 16.24mm |
| Höhe | 21.25mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |