onsemi NVB082N65S3F N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 40 A 313 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

SuperFET® III MOSFET ist die brandneue Hochleistungs-SJ-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die eine Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Daher eignet sich der SuperFET III MOSFET sehr gut für das verschiedene Stromversorgungssystem zur Miniaturisierung und höheren Effizienz. SuperFET III FRFET® MOSFET's optimierte Reverse Recovery Performance der Karosseriediode kann zusätzliche Komponente entfernen und die Systemzuverlässigkeit verbessern.

700 V bei TJ = 150 °C
Typ. RDS(on) = 64 m
Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 81 nC)
Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 722 pF)
Diese Geräte sind bleifrei
Typische Anwendungen:
Fahrzeugeigenes Ladegerät
DC/DC-Wandler für HEV