onsemi EFC4K110NUZTDGOS N-Kanal Dual, SMD MOSFET 24 V / 25 A 2,5 W, 10-Pin WLCSP
- RS Best.-Nr.:
- 195-2486
- Herst. Teile-Nr.:
- EFC4K110NUZTDG
- Marke:
- onsemi
Nicht mehr im Sortiment
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- 195-2486
- Herst. Teile-Nr.:
- EFC4K110NUZTDG
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
EFC4K110NUZTDG verfügt über einen extrem niedrigen Betriebswiderstand und hohen Strom mit kleinem und dünnem CSP-Gehäuse. Er eignet sich am besten für 1-2-Zellen-Li-Ion-Batterieschutzschaltungen.
Niedrige Rss (ein)
Geringe Größe und geringe Breite
Kein Latch-Up-Problem
Niedrige Gateladung
2 kV ESD HBM
Gemeinsamer Abflusstyp
ESD-Diodenschutztür
Geringer Stromverbrauch
Er kann auf einer schmalen Breite und einer Platine mit kleinem Bereich montiert werden
Hohe Lebensdauer bei anormalem Hochspannungseingang
Einfache Fahrt, schnelleres faster Einschalten
Anwendung
1-2-Zellen Li-Ion-Akkulade- und -Entladeschalter in Batterieschutzschaltung
Geringe Größe und geringe Breite
Kein Latch-Up-Problem
Niedrige Gateladung
2 kV ESD HBM
Gemeinsamer Abflusstyp
ESD-Diodenschutztür
Geringer Stromverbrauch
Er kann auf einer schmalen Breite und einer Platine mit kleinem Bereich montiert werden
Hohe Lebensdauer bei anormalem Hochspannungseingang
Einfache Fahrt, schnelleres faster Einschalten
Anwendung
1-2-Zellen Li-Ion-Akkulade- und -Entladeschalter in Batterieschutzschaltung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 25 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 24 V |
| Gehäusegröße | WLCSP |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 10 |
| Channel-Modus | Depletion |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.3V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.4V |
| Verlustleistung max. | 2,5 W |
| Transistor-Konfiguration | Dual |
| Gate-Source Spannung max. | ±12 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 3.23mm |
| Breite | 2.13mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 49 nC @ 4,5 V nC |
| Höhe | 0.17mm |